ופל סיליקון של CZ

תיאור

ופל סיליקון יחיד קריסטל CZ הוא פרוס ממטיל סיליקון גביש בודד שנמשך בשיטת הגידול של Czochralski CZ, אשר נמצא בשימוש הנפוץ ביותר לצמיחת גבישי סיליקון של מטילי סיליקון גדולים המשמשים בתעשיית האלקטרוניקה לייצור התקני מוליכים למחצה.בתהליך זה, זרע דק של סיליקון קריסטל עם סובלנות כיוון מדויקת מוכנס לתוך האמבט המותך של סיליקון שהטמפרטורה שלו נשלטת במדויק.גביש הזרע נמשך באיטיות כלפי מעלה מההמסה בקצב מבוקר מאוד, ההתמצקות הגבישית של אטומים משלב נוזלי מתרחשת בממשק, גביש הזרע וכור ההיתוך מסובבים בכיוונים מנוגדים במהלך תהליך הנסיגה הזה, ויוצר סינגל גדול. סיליקון קריסטל עם המבנה הגבישי המושלם של הזרע.

הודות לשדה המגנטי המופעל על משיכת מטיל ה-CZ הסטנדרטי, סיליקון Czochralski MCZ חד-גביש המושרה על ידי שדה מגנטי הוא בעל ריכוז זיהומים נמוך יחסית, רמת חמצן ותזוזה נמוכה יותר, ושונות התנגדות אחידה המתפקדת היטב ברכיבים והתקנים אלקטרוניים בטכנולוגיה גבוהה. ייצור בתעשיות אלקטרוניות או פוטו-וולטאיות.

מְסִירָה

CZ או MCZ Single Crystal Silicon Wafer מוליכות מסוג n ו-p ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מסופקת בגודל של 2, 3, 4, 6, 8 ו-12 אינץ' קוטר (50, 75, 100, 125, 150, 200 ו-300 מ"מ), כיוון <100>, <110>, <111> עם גימור פני השטח של חופה, חרוט ומלוטש באריזה של קופסת קצף או קסטה עם קופסא קרטון בחוץ.

שאל עכשיו

פרטים

תגים

מפרט טכני

ופל סיליקון של CZ

ופל סיליקון יחיד קריסטל CZ הוא החומר הבסיסי בייצור מעגלים משולבים, דיודות, טרנזיסטורים, רכיבים בדידים, המשמשים בכל סוגי הציוד האלקטרוני והתקני מוליכים למחצה, כמו גם מצע בעיבוד אפיטקסיאלי, מצע רקיקי SOI או ייצור פרוסות מורכבות למחצה, גדולות במיוחד קוטר של 200 מ"מ, 250 מ"מ ו-300 מ"מ הם אופטימליים לייצור מכשירים משולבים במיוחד.סיליקון יחיד קריסטל משמש גם עבור תאים סולאריים בכמויות גדולות על ידי התעשייה הפוטו-וולטאית, אשר מבנה קריסטל כמעט מושלם מניב את יעילות ההמרה הגבוהה ביותר של אור לחשמל.

לא.	פריטים	מפרט סטנדרטי
1	גודל	2"	3"	4"	6"	8"	12 אינץ'
2	קוטר מ"מ	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	מוֹלִיכוּת	P או N או לא מסומם
4	נטייה	<100>, <110>, <111>
5	עובי מיקרומטר	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 או לפי הצורך
6	התנגדות Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 וכו'
7	RRV מקסימום	8%, 10%, 12%
8	ראשי שטוח/אורך מ"מ	כתקן SEMI או כנדרש
9	משני שטוח/אורך מ"מ	כתקן SEMI או כנדרש
10	TTV מיקרומטר מקסימום	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp מיקרומטר מקסימום	30	30	30	30	30	30
12	גימור פני השטח	כמו חתך, L/L, P/E, P/P
13	אֲרִיזָה	קופסת קצף או קסטה בפנים, קופסת קרטון בחוץ.

סֵמֶל	Si
מספר אטומי	14
משקל אטומי	28.09
קטגוריית אלמנטים	מטאלואיד
קבוצה, תקופה, בלוק	14, 3, P
מבנה קריסטל	יהלום
צֶבַע	אפור כהה
נקודת המסה	1414°C, 1687.15 K
נקודת רתיחה	3265°C, 3538.15 K
צפיפות ב-300K	2.329 גרם/ס"מ³
התנגדות פנימית	3.2E5 Ω-ס"מ
מספר CAS	7440-21-3
מספר EC	231-130-8

CZ או MCZ Single Crystal Silicon Waferמוליכות מסוג n ו-p ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מסופקת בקוטר של 2, 3, 4, 6, 8 ו-12 אינץ' (50, 75, 100, 125, 150, 200 ו-300 מ"מ), אוריינטציה <100>, <110>, <111> עם גימור פני השטח של חתך, חופה, חרוט ומלוטש באריזה של קופסת קצף או קסטה עם קופסת קרטון בחוץ.