אינדיום פוספיד InP

תיאור

אינדיום פוספיד InP,CAS No.22398-80-7, נקודת התכה 1600°C, מוליכים למחצה מורכבים בינאריים ממשפחת III-V, מבנה גבישי "תערובת אבץ" מרוכז בפנים, זהה לרוב מוליכים למחצה III-V, מסונתז מ 6N 7N אינדיום ואלמנט זרחן בטוהר גבוה, וגדל לכדי גביש בודד בטכניקת LEC או VGF.גביש אינדיום פוספיד מסומם להיות מוליכות מסוג n, מסוג p או מבודדת למחצה לייצור פרוסות נוסף בקוטר של עד 6 אינץ' (150 מ"מ), הכולל את מרווח הפס הישיר שלו, ניידות גבוהה מעולה של אלקטרונים וחורים וחום יעיל. מוֹלִיכוּת.Indium Phosphide InP Wafer prime או דרגת בדיקה ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מוצעת עם מוליכות מסוג p, מסוג n ומוליכות חצי מבודדת בגודל של 2" 3" 4" ו-6" (עד 150 מ"מ) קוטר, כיוון <111> או <100> ועובי 350-625um עם גימור פני השטח של תהליך חרוט ומלוטש או אפי מוכן.בינתיים אינדיום פוספיד יחיד קריסטל מטיל 2-6 אינץ' זמין לפי בקשה.Polycrystalline Indium Phosphide InP או Multi-crystal InP מטיל בגודל של D(60-75) x אורך (180-400) מ"מ של 2.5-6.0 ק"ג עם ריכוז נשא של פחות מ-6E15 או 6E15-3E16 זמין גם כן.כל מפרט מותאם אישית זמין לפי בקשה להשגת הפתרון המושלם.

יישומים

רקיקת Indium Phosphide InP נמצאת בשימוש נרחב לייצור רכיבים אופטואלקטרוניים, מכשירים אלקטרוניים בעלי הספק גבוה ותדר גבוה, כמצע להתקנים אופטו-אלקטרוניים אפיטקסיאליים מבוססי אינדיום-גליום-ארסניד (InGaAs).אינדיום פוספיד נמצא גם בייצור עבור מקורות אור מבטיחים ביותר בתקשורת סיבים אופטיים, התקני מקור כוח מיקרוגל, מגברי מיקרוגל והתקני FET של שערים, מאפננים במהירות גבוהה וגלאי צילום, וניווט לווייני וכן הלאה.

שאל עכשיו

פרטים

תגים

מפרט טכני

אינדיום פוספיד InP

אינדיום פוספיד יחיד קריסטלניתן להציע וואפר (מטיל קריסטל InP או Wafer) ב-Western Minmetals (SC) Corporation עם מוליכות מסוג p, מסוג n ומבודדת למחצה בגודל של 2" 3" 4" ו-6" (עד 150 מ"מ) קוטר, כיוון <111> או <100> ועובי 350-625um עם גימור פני השטח של תהליך חרוט ומלוטש או אפי מוכן.

אינדיום פוספיד רב גבישיאו מטיל Multi-Crystal (InP poly ingot) בגודל של D(60-75) x L(180-400) מ"מ של 2.5-6.0 ק"ג עם ריכוז מנשא של פחות מ-6E15 או 6E15-3E16.כל מפרט מותאם אישית זמין לפי בקשה להשגת הפתרון המושלם.

לא.	פריטים	מפרט סטנדרטי
1	אינדיום פוספיד יחיד קריסטל	2"	3"	4"
2	קוטר מ"מ	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	שיטת צמיחה	VGF	VGF	VGF
4	מוֹלִיכוּת	P/Zn מסוממים, N/(S מסוממים או לא מסוממים), חצי בידוד
5	נטייה	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	עובי מיקרומטר	350±25	600±25	600±25
7	כיוון שטוח מ"מ	16±2	22±1	32.5±1
8	זיהוי שטוח מ"מ	8±1	11±1	18±1
9	ניידות cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	ריכוז מנשא cm-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV מיקרומטר מקסימום	10	10	10
12	קשת מיקרומטר מקסימום	10	10	10
13	עיוות מקסימום מיקרומטר	15	15	15
14	צפיפות נקע cm-2 מקסימום	500	1000	2000
15	גימור פני השטח	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	אֲרִיזָה	מיכל רקיק בודד אטום בשקית מורכבת מאלומיניום.

לא.	פריטים	מפרט סטנדרטי
1	מטיל אינדיום פוספיד	מטיל פולי גבישי או רב גבישי
2	גודל קריסטל	D(60-75) x L(180-400) מ"מ
3	משקל למטיל קריסטל	2.5-6.0 ק"ג
4	ניידות	≥3500 ס"מ²/לעומת
5	ריכוז הספקים	≤6E15, או 6E15-3E16 ס"מ^-3
6	אֲרִיזָה	כל מטיל קריסטל InP נמצא בשקית ניילון אטומה, 2-3 מטיל בקופסת קרטון אחת.

נוסחה לינארית	InP
משקל מולקולרי	145.79
מבנה קריסטל	תערובת אבץ
מראה חיצוני	גְבִישִׁי
נקודת המסה	1062 מעלות צלזיוס
נקודת רתיחה	לא
צפיפות ב-300K	4.81 גרם/ס"מ³
פער אנרגיה	1.344 eV
התנגדות פנימית	8.6E7 Ω-ס"מ
מספר CAS	22398-80-7
מספר EC	244-959-5

Indium Phosphide InP Waferנמצא בשימוש נרחב לייצור רכיבים אופטואלקטרוניים, מכשירים אלקטרוניים בעלי הספק גבוה ותדר גבוה, כמצע להתקנים אופטו-אלקטרוניים מבוססי אינדיום-גליום-ארסניד אפיטקסיאלי (InGaAs).אינדיום פוספיד נמצא גם בייצור עבור מקורות אור מבטיחים ביותר בתקשורת סיבים אופטיים, התקני מקור כוח מיקרוגל, מגברי מיקרוגל והתקני FET של שערים, מאפננים במהירות גבוהה וגלאי צילום, וניווט לווייני וכן הלאה.