Gallium Arsenide GaAs

תיאור

גליום ארסנידGaAs הוא מוליך למחצה תרכובת מרווח פס ישיר מקבוצה III-V המסונתז על ידי לפחות 6N 7N בטוהר גבוה של גליום ואלמנט ארסן, וגדל גביש על ידי תהליך VGF או LEC מ-Galium arsenide בטוהר גבוה, מראה בצבע אפור, גבישים מעוקבים עם מבנה תערובת אבץ.בעזרת סימום של פחמן, סיליקון, טלוריום או אבץ כדי לקבל מוליכות מסוג n או מסוג p ומוליכות חצי בידודית בהתאמה, ניתן לפרוס גביש InAs גלילי וליצור לריק ולרקיק בחיתוך, חרוט, מלוטש או אפי -מוכן לצמיחה אפיטקסיאלית של MBE או MOCVD.פרוסות גליום ארסניד משמשות בעיקר לייצור מכשירים אלקטרוניים כגון דיודות פולטות אור אינפרא אדום, דיודות לייזר, חלונות אופטיים, טרנזיסטורי FET עם אפקט שדה, IC דיגיטלי ליניארי ותאים סולאריים.רכיבי GaAs שימושיים בתדרי רדיו גבוהים במיוחד ויישומי מיתוג אלקטרוני מהיר, יישומי הגברת אות חלש.יתר על כן, מצע Gallium Arsenide הוא חומר אידיאלי לייצור רכיבי RF, תדר מיקרוגל ו-ICs מונוליטי, והתקני LED במערכות תקשורת ובקרה אופטיות עבור ניידות האולם הרוויה שלו, הספק ויציבות טמפרטורה גבוהה.

מְסִירָה

Gallium Arsenide GaAs ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכול להיות מסופק כפריסת גוש פולי-גבישי או רקיקת גביש בודדת בפרוסות כמו חתוכים, חרוטים, מלוטשים או מוכנים לאפי בגודל של 2" 3" 4" ו-6" (50 מ"מ, קוטר 75 מ"מ, 100 מ"מ, 150 מ"מ), עם מוליכות מסוג p, מסוג n או מבודדת למחצה, וכיוון <111> או <100>.המפרט המותאם הוא עבור הפתרון המושלם ללקוחותינו ברחבי העולם.

שאל עכשיו

פרטים

תגים

מפרט טכני

גליום ארסניד

GaAs

Gallium Arsenide GaAsפרוסות משמשות בעיקר לייצור מכשירים אלקטרוניים כגון דיודות פולטות אור אינפרא אדום, דיודות לייזר, חלונות אופטיים, טרנזיסטורי FET עם אפקט שדה, ליניאריים של IC דיגיטלי ותאים סולאריים.רכיבי GaAs שימושיים בתדרי רדיו גבוהים במיוחד ויישומי מיתוג אלקטרוני מהיר, יישומי הגברת אות חלש.יתר על כן, מצע Gallium Arsenide הוא חומר אידיאלי לייצור רכיבי RF, תדר מיקרוגל ו-ICs מונוליטי, והתקני LED במערכות תקשורת ובקרה אופטיות עבור ניידות האולם הרוויה שלו, הספק ויציבות טמפרטורה גבוהה.

לא.	פריטים	מפרט סטנדרטי
1	גודל	2"	3"	4"	6"
2	קוטר מ"מ	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	שיטת צמיחה	VGF	VGF	VGF	VGF
4	סוג מוליכות	N-Type/Si או Te-doped, P-Type/Zn-doped, חצי מבודד/לא מסומם
5	נטייה	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	עובי מיקרומטר	350±25	625±25	625±25	650±25
7	כיוון שטוח מ"מ	17±1	22±1	32±1	לַחֲרוֹץ
8	זיהוי שטוח מ"מ	7±1	12±1	18±1	-
9	התנגדות Ω-cm	(1-9)E(-3) לסוג p או מסוג n, (1-10)E8 לחצי בידוד
10	ניידות cm2/vs	50-120 לסוג p, (1-2.5)E3 לסוג n, ≥4000 לבידוד למחצה
11	ריכוז מנשא cm-3	(5-50)E18 ל-p-type, (0.8-4)E18 ל-n-type
12	TTV מיקרומטר מקסימום	10	10	10	10
13	קשת מיקרומטר מקסימום	30	30	30	30
14	עיוות מקסימום מיקרומטר	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	גימור פני השטח	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	אֲרִיזָה	מיכל רקיק בודד אטום בשקית מורכבת מאלומיניום.
18	הערות	פרוסות GaAs בדרגה מכנית זמינה גם היא לפי בקשה.

נוסחה לינארית	GaAs
משקל מולקולרי	144.64
מבנה קריסטל	תערובת אבץ
מראה חיצוני	מוצק גבישי אפור
נקודת המסה	1400°C, 2550°F
נקודת רתיחה	לא
צפיפות ב-300K	5.32 גרם/ס"מ³
פער אנרגיה	1.424 eV
התנגדות פנימית	3.3E8 Ω-ס"מ
מספר CAS	1303-00-0
מספר EC	215-114-8

Gallium Arsenide GaAsב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מסופקת כפריסת גוש פולי-גבישי או גביש יחיד בפרוסות חתוכות, חרוטות, מלוטשות או מוכנות לאפי בגודל של 2" 3" 4" ו-6" (50 מ"מ, 75 מ"מ, 100 מ"מ , 150 מ"מ) קוטר, עם מוליכות מסוג p, מסוג n או מבודדת למחצה, וכיוון <111> או <100>.המפרט המותאם הוא עבור הפתרון המושלם ללקוחותינו ברחבי העולם.