אינדיום Antimonide InSb

תיאור

Indium Antimonide InSb, מוליך למחצה של תרכובות גבישיות מקבוצה III-V עם מבנה סריג בתערובת אבץ, מסונתז על ידי יסודות אינדיום ואנטימון בטוהר גבוה 6N 7N, וגדל גביש יחיד בשיטת VGF או Liquid Encapsulated Czochralski LEC מאינגוט פוליקריסטלי מזוקק רב אזורים, שניתן לפרוס וליצור רקיק ולחסום לאחר מכן.InSb הוא מוליך למחצה מעבר ישיר עם פער פס צר של 0.17eV בטמפרטורת החדר, רגישות גבוהה לאורכי גל של 1-5μm וניידות אולם גבוהה במיוחד.Indium Antimonide InSb מוליכות n-סוג מסוג p ומבודדת למחצה ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מוצעת בגודל של 1 אינץ' 2 אינץ' 3 אינץ' ו-4 אינץ' (30 מ"מ, 50 מ"מ, 75 מ"מ, 100 מ"מ) קוטר, כיוון < 111> או <100>, ועם גימור משטח רקיק של חתך, חופה, חרוט ומלוטש.Indium Antimonide InSb יעד של Dia.50-80mm עם סוג n לא מסומם זמין גם כן.בינתיים, פולי-גביש אינדיום antimonide InSb (רב גבישי InSb) עם גודל של גוש לא סדיר, או ריק (15-40) x (40-80) מ"מ, ומוט עגול של D30-80 מ"מ מותאמים גם הם לפי בקשה לפתרון המושלם.

יישום

Indium Antimonide InSb הוא מצע אידיאלי אחד לייצור רכיבים והתקנים חדישים רבים, כגון פתרון הדמיה תרמית מתקדמת, מערכת FLIR, אלמנט אולם ואלמנט אפקט התנגדות למגנט, מערכת הנחיית טילי ביות אינפרא אדום, חיישן צילום אינפרא אדום בעל תגובה גבוהה , חיישן התנגדות מגנטי וסיבובי ברמת דיוק גבוהה, מערכים מישוריים מוקדיים, ומותאם גם כמקור קרינה טרה-הרץ ובטלסקופ חלל אסטרונומי אינפרא אדום וכו'.

שאל עכשיו

פרטים

תגים

מפרט טכני

אינדיום אנטימוניד

InSb

מצע אינדיום אנטימוניד(Substrate InSb, InSb Wafer) n-type או p-type ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולים להיות מוצעים בגודל של 1" 2" 3" ו-4" (30, 50, 75 ו-100 מ"מ) קוטר, כיוון <111> או <100>, וכן עם משטח רקיק של גימורים משופשפים, חרוטים, מלוטשים. Indium Antimonide Single Crystal bar (InSb Monocrystal bar) ניתן גם לספק לפי בקשה.

אינדיום אנטימונידPאולי-גבישי (InSb Polycrystalline, או multicrystal InSb) עם גודל של גוש לא סדיר, או ריק (15-40)x(40-80) מ"מ מותאמים גם הם לפי בקשה לפתרון המושלם.

בינתיים, Indium Antimonide Target (InSb Target) של Dia.50-80mm עם סוג n לא מסומם זמין גם כן.

לא.	פריטים	מפרט סטנדרטי
1	מצע אינדיום אנטימוניד	2"	3"	4"
2	קוטר מ"מ	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	שיטת צמיחה	LEC	LEC	LEC
4	מוֹלִיכוּת	P-type/Zn,Ge מסומם, N-type/Te-doped, Un-doped
5	נטייה	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	עובי מיקרומטר	500±25	600±25	800±25
7	כיוון שטוח מ"מ	16±2	22±1	32.5±1
8	זיהוי שטוח מ"מ	8±1	11±1	18±1
9	ניידות cm2/Vs	1-7E5 N/לא מסומם, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 או ≤8E13 P/Ge-Domed
10	ריכוז מנשא cm-3	6E13-3E14 N/לא מסומם, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 או <1E14 P/Ge-doped
11	TTV מיקרומטר מקסימום	15	15	15
12	קשת מיקרומטר מקסימום	15	15	15
13	עיוות מקסימום מיקרומטר	20	20	20
14	צפיפות נקע cm-2 מקסימום	50	50	50
15	גימור פני השטח	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	אֲרִיזָה	מיכל רקיק בודד אטום בשקית אלומיניום.

לא.	פריטים	מפרט סטנדרטי
לא.	פריטים	Indium Antimonide Polycrystalline	יעד אינדיום אנטימוניד
1	מוֹלִיכוּת	לא מסומן	לא מסומן
2	ריכוז מנשא ס"מ^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	ניידות ס"מ²/לעומת	5-7E5	6.9-7.9E4
4	גודל	15-40x40-80 מ"מ	D(50-80) מ"מ
5	אֲרִיזָה	בשקית אלומיניום מרוכבת, קופסא קרטון בחוץ

נוסחה לינארית	InSb
משקל מולקולרי	236.58
מבנה קריסטל	תערובת אבץ
מראה חיצוני	קריסטלים מתכתיים אפורים כהים
נקודת המסה	527 מעלות צלזיוס
נקודת רתיחה	לא
צפיפות ב-300K	5.78 גרם/ס"מ³
פער אנרגיה	0.17 eV
התנגדות פנימית	4E(-3) Ω-cm
מספר CAS	1312-41-0
מספר EC	215-192-3

אינדיום Antimonide InSbרקיק הוא מצע אידיאלי אחד לייצור של רכיבים והתקנים חדישים רבים, כגון פתרון הדמיה תרמית מתקדמת, מערכת FLIR, אלמנט הול ואלמנט אפקט התנגדות מגנט, מערכת הנחיית טילי ביות אינפרא אדום, חיישן צילום אינפרא אדום בעל תגובה גבוהה, גבוהה חיישן התנגדות מגנטי וסיבובי דיוק, מערכים מישוריים מוקדיים, ומותאם גם כמקור קרינה טרה-הרץ ובטלסקופ חלל אסטרונומי אינפרא אדום וכו'.