Gallium Phosphide GaP

תיאור

Gallium Phosphide GaP, מוליך למחצה חשוב בעל תכונות חשמליות ייחודיות כמו חומרים מורכבים אחרים של III-V, מתגבש במבנה ה-ZB המעוקב היציב מבחינה תרמודינמית, הוא חומר קריסטל חצי שקוף כתום-צהוב עם פער פס עקיף של 2.26 eV (300K), שהוא מסונתז מגליום וזרחן 6N 7N בטוהר גבוה, וגדל לכדי גביש בודד בטכניקת Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).גביש גליום פוספיד מסומם גופרית או טלוריום כדי להשיג מוליכים למחצה מסוג n, ואבץ מסומם כמוליכות מסוג p לייצור נוסף לתוך פרוסות רצויות, שיש לה יישומים במערכת אופטית, מכשירים אלקטרוניים אופטואלקטרוניים אחרים.ניתן להכין פרוסות יחיד קריסטל GaP Epi-Ready עבור היישום האפיטקסיאלי של LPE, MOCVD ו-MBE.גליום פוספיד GaP רקיקת גליום פוספיד יחיד באיכות גבוהה, מוליכות מסוג n או לא מסומנת ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מוצעת בגודל של 2 אינץ' ו-3 אינץ' (50 מ"מ, קוטר 75 מ"מ), כיוון <100>,<111 > עם גימור פני השטח של תהליך חתוך, מלוטש או אפי מוכן.

יישומים

עם זרם נמוך ויעילות גבוהה בפליטת אור, פרוסת Gallium phosphide GaP מתאימה למערכות תצוגה אופטיות כמו דיודות פולטות אור אדום, כתום וירוק (LED) בעלות נמוכה ותאורה אחורית של LCD צהוב וירוק וכו' וייצור שבבי LED עם בהירות נמוכה עד בינונית, GaP מאומצת באופן נרחב גם כמצע הבסיסי לייצור חיישני אינפרא אדום ומצלמות ניטור.

שאל עכשיו

פרטים

תגים

מפרט טכני

Gallium Phosphide GaP

רקיקת גליום פוספיד GaP באיכות גבוהה או מצע מסוג p, מוליכות מסוג n או לא מסומנת בחברת Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מוצעת בגודל של 2 אינץ' ו-3 אינץ' (50 מ"מ, 75 מ"מ) בקוטר, כיוון <100> , <111> עם גימור פני השטח של חתך, חופה, חרוט, מלוטש, אפי-ready מעובד במיכל רקיק בודד אטום בשקית מרוכבת מאלומיניום או כמפרט מותאם אישית לפתרון המושלם.

לא.	פריטים	מפרט סטנדרטי
1	גודל GAP	2"
2	קוטר מ"מ	50.8 ± 0.5
3	שיטת צמיחה	LEC
4	סוג מוליכות	מסוג P/Zn מסומם, N-type/(S, Si,Te) מסומם, לא מסומם
5	נטייה	<1 1 1> ± 0.5°
6	עובי מיקרומטר	(300-400) ± 20
7	התנגדות Ω-cm	0.003-0.3
8	כיוון שטוח (OF) מ"מ	16±1
9	זיהוי שטוח (IF) מ"מ	8±1
10	ניידות אולם cm2/Vs min	100
11	ריכוז מנשא ס"מ^-3	(2-20) E17
12	נקע צפיפות ס"מ^-2מקסימום	2.00E+05
13	גימור פני השטח	P/E, P/P
14	אֲרִיזָה	מיכל רקיק בודד אטום בשקית מורכבת מאלומיניום, קופסא קרטון בחוץ

נוסחה לינארית	פער
משקל מולקולרי	100.7
מבנה קריסטל	תערובת אבץ
מראה	מוצק כתום
נקודת המסה	לא
נקודת רתיחה	לא
צפיפות ב-300K	4.14 גרם/ס"מ³
פער אנרגיה	2.26 eV
התנגדות פנימית	לא
מספר CAS	12063-98-8
מספר EC	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, עם זרם נמוך ויעילות גבוהה בפליטת אור, מתאים למערכות תצוגה אופטיות כמו דיודות פולטות אור אדום, כתום וירוק (LED) בעלות נמוכה ותאורה אחורית של LCD צהוב וירוק וכו' וייצור שבבי LED עם נמוך עד בינוני בהירות, GaP מאומצת באופן נרחב גם כמצע הבסיסי לייצור חיישני אינפרא אדום ומצלמות ניטור.