Gallium Antimonide GaSb

תיאור

Gallium Antimonide GaSb, מוליך למחצה של תרכובות קבוצה III-V עם מבנה סריג תערובת אבץ, מסונתז על ידי 6N 7N אלמנטים של גליום ואנטימון בטוהר גבוה, וגדל לגבישים בשיטת LEC ממטיל פוליבריסטלי קפוא כיוונית או שיטת VGF עם EPD <1000cm^-3.פרוסות פרוסות GaSb ניתנות לפרוסות וליצור לאחר מכן ממטיל גבישי יחיד עם אחידות גבוהה של פרמטרים חשמליים, מבני סריג ייחודיים וקבועים, וצפיפות פגמים נמוכה, מקדם השבירה הגבוה ביותר משאר התרכובות הלא מתכתיות.ניתן לעבד את GaSb עם מבחר רחב בכיוון מדויק או לא, ריכוז מסומם נמוך או גבוה, גימור משטח טוב ולגידול אפיטקסיאלי של MBE או MOCVD.מצע אנטימוניד גליום נמצא בשימוש ביישומים הפוטו-אופטיים והאופטו-אלקטרוניים החדישים ביותר, כגון ייצור של גלאי צילום, גלאי אינפרא אדום עם חיים ארוכים, רגישות ואמינות גבוהות, רכיב פוטו-רזיסט, נוריות אינפרא אדום ולייזרים, טרנזיסטורים, תא פוטו-וולטאי תרמי. ומערכות תרמו-פוטו-וולטאיות.

מְסִירָה

Gallium Antimonide GaSb ב-Western Minmetals (SC) Corporation יכול להיות מוצע עם מוליכות חצי מבודדת מסוג n, מסוג p ובלתי מסומנת בגודל של 2 אינץ' 3 ו-4 אינץ' (50 מ"מ, 75 מ"מ, 100 מ"מ), כיוון <111> או <100>, ועם גימור משטח רקיק של גימורים כמו חתוכים, חרוטים, מלוטשים או גימורים מוכנים לאפיטקסיה באיכות גבוהה.כל הפרוסות כתובות בלייזר בנפרד לצורך זהות.בינתיים, גוש גאליום אנטימוניד פולי-גבישי מותאם אישית לפי בקשה לפיתרון המושלם.

שאל עכשיו

פרטים

תגים

מפרט טכני

גליום אנטימוניד

GaSb

Gallium Antimonide GaSbהמצע נמצא בשימוש ביישומים הפוטו-אופטיים והאופטו-אלקטרוניים המתקדמים ביותר, כגון ייצור של גלאי צילום, גלאי אינפרא אדום עם חיים ארוכים, רגישות ואמינות גבוהות, רכיב פוטו-רזיסט, נוריות אינפרא אדום ולייזרים, טרנזיסטורים, תא פוטו-וולטאי תרמי ותרמי. -מערכות פוטו-וולטאיות.

	פריטים	מפרט סטנדרטי
1	גודל	2"	3"	4"
2	קוטר מ"מ	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	שיטת צמיחה	LEC	LEC	LEC
4	מוֹלִיכוּת	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	נטייה	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	עובי מיקרומטר	500±25	600±25	800±25
7	כיוון שטוח מ"מ	16±2	22±1	32.5±1
8	זיהוי שטוח מ"מ	8±1	11±1	18±1
9	ניידות cm2/Vs	200-3500 או לפי הצורך
10	ריכוז מנשא cm-3	(1-100)E17 או לפי הצורך
11	TTV מיקרומטר מקסימום	15	15	15
12	קשת מיקרומטר מקסימום	15	15	15
13	עיוות מקסימום מיקרומטר	20	20	20
14	צפיפות נקע cm-2 מקסימום	500	1000	2000
15	גימור פני השטח	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	אֲרִיזָה	מיכל רקיק בודד אטום בשקית אלומיניום.

נוסחה לינארית	GaSb
משקל מולקולרי	191.48
מבנה קריסטל	תערובת אבץ
מראה חיצוני	מוצק גבישי אפור
נקודת המסה	710 מעלות צלזיוס
נקודת רתיחה	לא
צפיפות ב-300K	5.61 גרם/ס"מ³
פער אנרגיה	0.726 eV
התנגדות פנימית	1E3 Ω-ס"מ
מספר CAS	12064-03-8
מספר EC	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbב-Western Minmetals (SC) Corporation יכולה להיות מוצעת עם מוליכות חצי מבודדת מסוג n, מסוג p ובלתי מסומנת בגודל של 2 אינץ' 3 ו-4 אינץ' (50 מ"מ, 75 מ"מ, 100 מ"מ), כיוון <111> או <100 >, ועם גימור משטח רקיק של גימורים מוכנים לחתוך, חרוט, מלוטש או באיכות גבוהה.כל הפרוסות כתובות בלייזר בנפרד לצורך זהות.בינתיים, גוש גאליום אנטימוניד פולי-גבישי מותאם אישית לפי בקשה לפיתרון המושלם.