גליום טוהר גבוה

תיאור

גליום טוהר גבוה, 99.999%, 99.9999% ו-99.99999% 5N 6N 7N, מתכת רכה, לבנה כסופה במצב נוזלי ולבן כחלחל במצב מוצק, שחיקתה כמעט ולא מושפעת מחמצן ומים בטמפרטורת החדר, מתחמצנת רק בטמפרטורה גבוהה, ומגיבה לאט עם חומצה מדוללת.גליום מתכת מטוהרת ל-99.999%, 99.9999% ו-99.99999% 5N 6N 7N על ידי תהליך הטיהור של שיטת התגבשות כיוונית.High Purity Gallium ב-Western Minmetals (SC) Corporation עם טוהר של 99.999%, 99.9999% ו-99.99999% 5N 6N 7N ניתן לספק בצורת מיכל של 100 גרם, 500 גרם או 1000 גרם משקל, אשר ארוז לבטיחות והובלה יבשה. הגנת קרח, או כמפרט מותאם אישית כדי להגיע לפתרון המושלם.

יישומים

גליום טוהר גבוה משמש בעיקר בייצור של מוליכים למחצה מורכבים III-V כגון Gallium Arsenide GaAs, Gallium Phosphide GaP, Gallium Antimonide GaSb, Gallium Nitride GaN כחול, מעגל מיקרוגל, סגסוגות בטוהר גבוה, מוליכים למחצה תחמוצת ושבב LED, תרמי. נשא בכור אטומי וכחומר מקור אפיטקסיה מולקולרית של קרן מולקולרית (MBE), וכחומר התיבול של גרמניום וסיליקון צמיחת גביש יחיד וכו'.

שאל עכשיו

פרטים

תגים

מפרט טכני

Ga

מס' אטומי	31
משקל אטומי	67.2
צְפִיפוּת	5.91 גרם/סמ"ק
נקודת המסה	29.78 מעלות צלזיוס
נקודת רתיחה	2403 מעלות צלזיוס
מס' CAS	7440-55-3
קוד HS	8112.9290.99

סְחוֹרָה	מפרט סטנדרטי
	טוֹהַר		טומאה (דוח בדיקה ICP-MS או GDMS, PPM מקסימום כל אחד)
טוהר גבוה גליום	5N	99.999%	Zn/Ca/Al/Ni/In 0.5, Mg/Mn 0.6, Si/Hg 1.0, Sn/Fe 0.8, Cu 1.5, Pb 1.8	סך הכל ≤10
	6N	99.9999%	Zn/Mg/Pb/Sn/Fe 0.1, Si 0.2, Cu/Al/Ni/Mn/Cr 0.05	סך הכל ≤1.0
	7N	99.99999%	Zn/Al/Ni/In 0.001, Mn 0.003, Cu/Ca/Mg/Pb/Sn 0.005, Si 0.05	סך הכל ≤0.1
	גודל		בצורת מיכל, 100g/500g/1000g לבקבוק
	אֲרִיזָה		בבקבוק פלסטיק או שקית מרוכבת עם קרח כחול, קופסת קרטון או תופי ברזל בחוץ.

גליום טוהר גבוה5N 6N 7N ב-Western Minmetals (SC) Corporation עם טוהר של 99.999%, 99.9999% ו-99.99999% ניתן לספק בצורה של צורת מיכל במשקל 100 גרם, 500 גרם או 1000 גרם, אשר ארוז לבטיחות ולהובלה מתאימה עם הגנת קרח יבש. או כמפרט מותאם אישית כדי להגיע לפתרון המושלם.

גליום טוהר גבוה99.999%, 99.9999% ו-99.99999% משמשים בעיקר בייצור של מוליכים למחצה מורכבים III-V כגון Gallium Arsenide GaAs, Gallium Phosphide GaP, Gallium Antimonide GaSb, Blue Gallium Nitride GaN, מעגל סגסוגת מיקרוגל, סגסוגת חמצונית גבוהה. ושבב LED, נושא תרמי בכור אטומי וכחומר מקור של קרן מולקולרית (MBE), וכחומר הסמכה של צמיחת גביש יחיד גרמניום וסיליקון גביש יחיד וכו'.